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    • GaN-MOCVD设备
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      • 产品名称:2英寸单片W120型设备
      • 产品介绍:
        主要技术参数:

        1、生长晶片尺寸:1.25英寸、2英寸
        2、生长温度控制范围:300℃-1250℃
        3、最大生长速度:3um/小时
        4、系统压力、真空度:
             压力:小于780mmHg
             真空:小于2.0×10-2torr
        5、生长外延片厚度不均匀性:±5%
             组分不均匀性:±5%
        6、配备:(可根据用户要求配置)
             4路气体:(H2,N2,NH3,SiH4)
             6路MO源:(TEG,TEA,TMA,Cp2Mg,TMG,TMin)
        7、主机外形尺寸:5100×800×2200mm(L×W×H)
           (不包括RF电源)


         

       

  • 技术支持
  • 关键词: 消毒光源、深紫外网投平台 、紫外消毒、紫外光源、DUV 网投平台 、UV 网投平台 、UVC、UVB
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